SK하이닉스, 美 인디애나서 2029년부터 고능성 HBM4E 양산…“반도체 관세 대응 주목”

|40억 달러 이상 투자해 차세대 HBM 패키징·AI 반도체 R&D 거점 구축 |2030년 인디애나 美 핵심 HBM 생산기지로…연간 수십만장 웨이퍼 처리   <개요> SK하이닉스가 미국 인디애나주 웨스트라피엣 공장에서 차세대 고대역폭메모리 HBM4E를 2029년 3분기부터 양산할 계획이라고 밝힘. 회사는 2030년 말까지 메모리 공급 부족이 이어질 것으로 전망하며 인디애나를 미국 내 핵심 HBM 생산기지로 육성할 방침임. 40억 달러(약 5조 […]

해당 컨텐츠는 로그인 후 볼수 있습니다.
회원가입 후 컨텐츠를 확인해주세요!

*[PREMIUM] 기사는 유료구독 회원 전용 컨텐츠입니다.
자세한 안내는 공지사항 게시판을 확인해주시기 바랍니다.

spot_imgspot_img

Related articles

韓 대기업 6곳, 美 로비 지출 24% 증가… 반도체·관세·방산에 집중

| 삼성·SK, 반도체법 보조금·세액공제·수출통제·관세 문제에 집중 | 한화, 로비 지출...

SK그룹, 반도체 투자 속도…중국 사업 향방 주목

|우시·다롄 등 현지 생산거점, 미국 제재 탓 투자 제약 SK그룹이...

‘칩플레이션 후폭풍’ 애플, 국내 협력사 단가인하 압박

|소부장 공급망 예의주시, 삼성·LG 등 대기업도 영향권 전자업계가 제조원가 상승의...

메모리 관세 만지는 美… AI 경쟁력 높이려다 비용만 키우나

| AI 붐에 상업용 메모리 수요 급증하는 美, 삼성·SK...
spot_imgspot_img
PHP Code Snippets Powered By : XYZScripts.com